Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния

Abstract

Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния по методу Чохральского с минимальным содержанием макро- и микродефектов структуры является одной из главных научных проблем и задач современности. Качество создаваемых микроэлектронных устройств в значительной степени зависит от совершенства исходных монокристаллов. Поэтому необходимо выращивать монокристаллы Si, в к оторых д ислокации п олностью о тсутствуют ( или и х предельное содержание в объеме кристалла не превышает 103 см-2), с равномерным распределением легирующих и остаточных примесей, с контролируемым и ограниченным содержанием собственных точечных дефектов структуры [1].