Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния
| dc.contributor.author | Строітєлєва, Ніна Іванівна | |
| dc.contributor.author | Строителева, Н. И. | |
| dc.date.accessioned | 2021-12-16T11:41:28Z | |
| dc.date.available | 2021-12-16T11:41:28Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.abstract | Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния по методу Чохральского с минимальным содержанием макро- и микродефектов структуры является одной из главных научных проблем и задач современности. Качество создаваемых микроэлектронных устройств в значительной степени зависит от совершенства исходных монокристаллов. Поэтому необходимо выращивать монокристаллы Si, в к оторых д ислокации п олностью о тсутствуют ( или и х предельное содержание в объеме кристалла не превышает 103 см-2), с равномерным распределением легирующих и остаточных примесей, с контролируемым и ограниченным содержанием собственных точечных дефектов структуры [1]. | uk_UK |
| dc.identifier.citation | Строителева Н. И. Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния / Н. И. Строителева // Инновационная наука, образование, производство и транспорт: техника и технологии, информатика, транспорт, архитектура. Кн. 2 . Ч. 1 : серия монографий. – Одесса: Куприенко С. В., 2019 – С. 14-45. | uk_UK |
| dc.identifier.uri | https://zsmu.rosbai.com/handle/123456789/15718 | |
| dc.language.iso | rus | uk_UK |
| dc.publisher | Одесса: Куприенко С. В. | uk_UK |
| dc.title | Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния | uk_UK |
| dc.title.alternative | Утворення борвмісних комплексів в монокристалах кремнію | uk_UK |
| dc.title.alternative | The formation of boron-containing complexes in silicon single crystals | uk_UK |
| dc.type | Book | uk_UK |